AUF EINEN BLICK

Die mit einer Feldemissionskathode ausgestatteten Rasterelektronenmikroskope (REM) ermöglichen Materialuntersuchungen im Nanometerbereich. Aufnahmen mit den Sekundärelektronen (SE)-Detektoren sind topographie- bzw. kantenbetont, während Aufnahmen mit dem Rückstreuelektronen (RE)-Detektor den Material- bzw. Channeling-Kontrast zeigen. Zur ortsaufgelösten Elementanalyse stehen Detektoren für energie- bzw. wellenlängendispersive Röntgenspektrometrie zur Verfügung (EDX, WDX). Die kristallographischen Eigenschaften können mit Elektronenrückstreubeugung (EBSD) analysiert werden. EBSD liefert Informationen über Phasen, Korngrößen und Kristallorientierungen. Gezielte Materialabtragungen ermöglicht der fokussierte Ga-Ionenstrahl (Focused Ion Beam, FIB). Mit FIB lassen sich Querschnitte in Oberflächen mit hoher Ortsauflösung präparieren und in situ elektronenmikroskopisch untersuchen. Daher eignet sich diese Methode beispielsweise zur Untersuchung von Schichtsystemen, Defekten oder Korrosion.

STRUKTURUNTERSUCHUNGEN

• Darstellung von Materialkontrasten mit RE-Detektor
• RE-Aufnahmen von Gefügen nach Ionenstrahlpräparation
• Aufnahmen von Nanopartikeln mit InLens-Detektor
• ESB (Energy Selective Backscattered)

Darstellung des Materialkontrasts einer Eloxalschicht mit Cu-Einlagerung mit dem RE-Detektor

RE-Aufnahme von Gefüge nach Argon-Ionenstrahlpräparation

Platin-Nanopartikel auf einer Membran, aufgenommen mit dem InLens-Detektor

Ruthenium-Cluster auf einer mit Silber beschichteten Glaskugel, aufgenommen mit dem Niederspannungs-RE-Detektor (Energy selective Backscattered, EsB)

Röntgenspektrometrische Elementanalyse

• Energiedispersive Röntgenspektrometrie (EDX)
• Wellenlängendispersive Röntgenspektrometrie (WDX)

Energiedispersive Röntgenspektrometrie (EDX)

Wellenlängendispersive Röntgenspektrometrie (WDX)